工作內容
1. 設計寬能隙化合物功率半導體晶片（如GaN、SiC等）
2. 進行化合物半導體功率晶片的設計、模擬
3. 設計與模擬整合驅動電路晶片
4. 負責功率晶片光罩繪製、下線製作及整體時程管控。
5. 進行功率晶片的測試與技術開發
※ 本職缺將視計畫需求，安排工作地點 (新竹竹東/台南沙崙)
工作說明
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工作縣市:新竹縣市
- 上班地點:新竹縣竹東鎮
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工作待遇:面議
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上班時段:日班,08:00~17:00
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需求人數:1 ~ 2
條件要求
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工作經歷:
工作經歷不拘
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學歷要求:碩士
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科系要求:
電機電子工程相關
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專長需求:
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擅長工具:
- 具備駕照:
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其他條件:
1. 碩士(含)以上，電機/電子或半導體專業相關等科系畢業
2. 熟悉半導體物理、電子電路及半導體製程，具獨立作業能力、態度積極主動
3. 具有Power device/ SiC MOSFET/ GaN 等功率元件開發經驗佳，熟悉TCAD 軟體尤佳
4. 具有具備數位系統晶片設計知識或經驗者佳
5. 具有晶片設計下線製作及量測經驗者佳。
6. 請檢附相當於TOEIC 650分之英語測驗成績證明，如無法提供，將安排參加本院英文檢測
